RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
70
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3518
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link