RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
70
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3693
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link