RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB vs Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1508
2219
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link