Porównanie pamięci RAM Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 37

Wokół strony 24% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16 9.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 5.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1453 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns