RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2062
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link