RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
63
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2554
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link