RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3806
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link