RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
4207
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link