RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3786
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link