RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2821
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link