RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2581
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link