RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3040
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link