RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
86
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
86
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1469
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link