RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2889
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link