RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3086
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link