RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3767
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link