RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
68
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3829
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link