RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
1989
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.A2GC9.AF0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link