RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3232
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link