RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3784
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link