RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3317
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link