RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
21.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3778
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link