RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3302
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link