RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2913
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link