RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3142
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link