RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2987
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link