RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3191
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link