RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
79
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
79
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1710
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link