RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3026
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link