RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3026
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link