RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2488
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lenovo 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link