RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2761
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link