RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
76
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link