RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
50
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3825
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link