RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3526
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link