RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link