RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3199
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link