RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3609
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link