RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3708
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link