RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
71
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1757
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link