RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2924
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link