RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1813
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link