RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1672
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link