RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3372
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link