RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
50
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1967
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link