RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2581
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link