RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3660
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link