RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2812
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link