RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3870
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link