RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
50
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2188
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link