RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3419
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link